| 採用IR2127的欠飽和檢測電路
圖所示的電流檢測電路是所謂的欠飽和檢測電路。它起初用於IGBT，用來檢測由於過流而過飽和的 IGBT 的電壓。這就是說，它也可以用於MOSFET（MOSFET在概念上屬於“絕緣柵極場效晶體管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET），而IGFET的柵極絕緣層有可能是其他物質而非MOSFET使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場效晶體管元件時比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是MOSFET。）。對於 MOSFET，原理相似，因為過載時 FET 上的電壓將會顯著增加。 | 
