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電容的頻率特性：隨著頻率的上升，一般電容器的電容量呈現下降的規律。
電容的型號命名方法：（依據ＧＢ２４７０－８1）
第一部分：用字母表示產品的名稱 C
第二部分：用字母表示產品的介質材料：
A鉭電解 B聚丙乙烯等非極性薄膜 C高頻陶瓷 D鋁電解 E其他材料電解 G合金電解 H紙膜複合 I玻璃鈾 J金屬化紙介 L聚酯等極性有機薄膜 N鈮電解 O玻璃膜 Q漆膜 S,T低頻陶瓷 V,X雲母紙 Y雲母 Z 紙。註：用B表示除聚苯乙烯外其他電容時，在 B后再加一字母以分別具體材料。用L表示聚酯以外其他薄膜電容時， 方法同。
電容器的絕緣電阻：直流電壓加在電容上，併產生漏導電流，兩者之比稱為絕緣電阻. 當電容較小時，主要取決於電容的表面狀態，容量〉0.1uf時，主要取決於介質的性能。
電容的時間常數：為恰當的評價大容量電容的絕緣情況而引入了時間常數，他等於電容的絕緣電阻與容量的乘積。
電容的損耗因素：電容在電場作用下因發熱所消耗的能量叫做損耗。各類電容都規疾了其在某頻率範圍內的損耗允許值，電容的損耗主要由介質損耗，電導損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的。
在直流電場的作用下，電容器的損耗以漏導損耗的形式存在，一般較小，在交變電場的作用下，電容的損耗不僅與漏導有關，而且與周期性的極化建立過程有關。
薄膜電容
目前大量生產的塑料薄膜電容器有聚苯乙烯，聚乙烯，聚丙烯，聚四氟乙烯，聚酯（滌綸），聚碳酸酯，複合膜等。
CBB91 型金屬化聚丙烯電容器特點與用途：絕緣帶外包裹，環氧樹脂灌封，軸向引出。具有高絕緣、低損耗，頻率特性好，等效串聯電阻低等特點。適用於音響的分頻器、功率放大器，及後置補償電路中，也適用於電子設備的直流交流和脈衝電路中。
4. CL20/CBB20軸向金屬化膜電容器非感應式結構，具有電性能優良、可靠性好、耐高溫、體積小、容量大，高頻損耗小,過電流能力強,適用於大電流，絕緣電阻高，自愈性好，壽命長，溫度特性穩定，廣泛用於儀器、儀錶及家用電器交直流線路，變頻、分頻等交流、大脈衝電路，尤其是高保真要求的音響分頻器電路。
瓷介電容
瓷介電容可分為低壓低功率和高壓高功率，在低壓低功率中又可分為I型（CC型）和II型（CT型）。
I型（CC型）特點是體積小， 損耗低，電容對頻率，溫度穩定性都較高，常用於高頻電路。
II型（CT型）特點是體積小，損耗大，電容對溫度頻率，穩定性都較差，常用於低頻電路。
1. 高頻圓片瓷介電容（CC）:電容量：1--6800p;額定電壓：63--500V;主要特點：高頻損耗小，穩定性好.應用：高頻電路。低頻瓷介電容（CT）。電容量：10p—4.7u。額定電壓：50V--100V。主要特點：體積小，價廉，損耗大，穩定性差。應用：要求不高的低頻電路
CC1型1類瓷介電容器。 用途：CCI型1類瓷介電容器Q值高，容量穩定。用於諧振迴路和需要補償溫度效應的電路中。63-500V。
CS1型3類瓷介電容器。用途：作超高頻、寬頻帶旁路電容器及耦合電容器或使用於對損耗角正切、絕緣電阻要求不高的電路中。25V-50V
CT71型2類交流瓷介電容器。用途：各類電子、電器設備，用於天線耦合，開關電路及跨接電源線等。250Vac
CT81型2類高壓瓷介電容器。用途：適用於1~3kV直流高壓旁路和耦合電路。開關電源的緩衝電路。
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